Конструкції тиристорів. Структура, принцип роботи та основні характеристики польового транзистора з p-n –переходом. Структура, принцип роботи та основні характеристики польового транзистора з ізольованим затвором. Прилади зі зарядовим зв’язком




Скачати 38.37 Kb.
НазваКонструкції тиристорів. Структура, принцип роботи та основні характеристики польового транзистора з p-n –переходом. Структура, принцип роботи та основні характеристики польового транзистора з ізольованим затвором. Прилади зі зарядовим зв’язком
Дата конвертації12.03.2013
Розмір38.37 Kb.
ТипДокументы
uchni.com.ua > Фізика > Документы
ЕКЗАМЕНАЦІЙНІ ПИТАННЯ

“Фізика напівпровідникових приладів та мікросхем” (2009/2010)


  1. . Структура та основні елементи напівпровідникових діодів.

  2. ВАХ діода (малий рівень інжекції). Загальний випадок.

  3. Статична ВАХ діода. Окремі випадки (товста та тонка бази).

  4. ВАХ діода для змінного сигналу. Параметри (диференціальний опір, дифузійна ємність) та їх частотні залежності.

  5. Генерація та рекомбінація носіїв заряду в р-n-переході, їх вплив на ВАХ.

  6. Пробій діодів (лавинний, тунельний та тепловий механізми). Вплив поверхневих електронних станів на ВАХ діода .

  7. Процесі в діодах при великих прямих струмах.

  8. Перехідні процеси в діодах при великих та малих струмах (схеми с генератором напруги та генератором струму).

  9. Діоди Шоттки та їх параметри.

  10. НВЧ - діоди та їх параметри.

  11. Стабілітрони і стабістори та їх параметри.

  12. Лавинно-прольотні діоди та їхні параметри.

  13. Тунельні та інверсні діоди та їх параметри.

  14. Варикапи та їх параметри.

  15. Структура та основні режими функціонування транзистора.

  16. Явища в транзисторах при великих струмах.

  17. Пробій транзисторів.

  18. Схеми включення транзисторів та їх статичні параметри.

  19. Статичні характеристики транзистора (схеми із загальною базою та емітером).

  20. Малосигнальні параметри БП-транзистора (z, y, h –параметри). Перехід від одної системи параметрів до іншої. Перерозрахунок параметрів при зміні схеми його включення.

  21. Еквівалентні схеми БП- транзистора (формальні, фізичні).

  22. Еквівалентна схема одновимірної теоретичної моделі транзистора. Зв’язок параметрів еквівалентної схеми з фізичними параметрами БП-транзистора.

  23. Повна еквівалентна схема сплавного транзистора.

  24. Частотні характеристики та параметри БП-транзисторів.

  25. Робота транзистора на імпульсах. Конструкції транзисторів).

  26. Структура, принцип роботи та основні характеристики двоелетродного тиристора.

  27. Триелектродний тиристор (структура, принцип роботи та основні характеристики).

  28. Способи переключення тиристорів. Конструкції тиристорів.

  29. Структура, принцип роботи та основні характеристики польового транзистора з p-n –переходом.

  30. Структура, принцип роботи та основні характеристики польового транзистора з ізольованим затвором.

  31. Прилади зі зарядовим зв’язком.

  32. Структура, принцип роботи та основні характеристики терморезисторів з від’ємним температурним коефіцієнтом опору.

  33. Структура, принцип роботи та основні характеристики позистора.

  34. Варистори та прилади на аморфних напівпровідниках (структура, принцип роботи та основні характеристики варисторів, перемикачі та запам’ятовуючі пристрої на аморфних напівпровідниках).

  1. Конструктивно-технологічні особливості біполярних напівпровідникових ІМС. Методи ізоляції елементів.

  2. Базові елементи БП напівпровідникових ІМС.

  3. Структура та схеми основних елементів на основі МДП транзисторів с p-каналом.

  4. Структура та схема основного елемента на базі комплементарного МДП транзистора.

  5. Основні елементи плівкової технології в ГІМС. Структура та компоненти ГІМС.

  6. Класичні розмірні ефекти та властивості тонких металевих плівок. Визначення понять тонкої плівки та розмірних ефектів.

  7. Вплив поверхневого дифузного розсіювання на електропровідність плівки.

  8. Вплив “острівцевої” побудови тонкої плівки на її електропровідність.

  9. Загальна залежність опору плівки від її товщини.

  10. Струми термоелектронної емісії в системі метал-вакуум.

  11. Емісія Шотткиву вакуумі та тонкоплівкових структурах.

  12. Струми тунелювання у тонкоплівкових структурах.

  13. Струми, обмежені об’ємним зарядом, у вакуумі та в тонких діелектриках без пасток.

  14. Струми в системі метал-діелектрик з пасками .

  15. Вольт-амперна характеристика системи метал-діелектрик з пастками і одним типом провідності.

  16. Методи керування просторовим зарядом (стаціонарний ефект поля, ємнісний ефект поля).

  17. Рекомбінація і захват носіїв заряду на поверхні. (статистика поверхневої рекомбінації - стаціонарний випадок).

  18. Поняття швидкості поверхневої рекомбінації.

  19. Стаціонарна фотопровідність тонкої напівпровідникової плівки. (основні наближення та рівняння, вираз для фотопровідності).




^ ЕКЗАМЕНАІЙНІ ЗАДАЧІ
відповідають за тематикою, наведенним в практикумі [7] (п. 2.2 розділ 2)

(див. на цьому ж сайті)

РЕКОМЕНДОВАНА ЛІТЕРАТУРА


  1. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. – М.: В.шк., 1987.

  2. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. Физические и технологические основы, надежность: Учеб. пособие для приборостроит. спец. вузов.- 2-е изд. перераб. и доп. - М.: Высш.шк., 1986. – 464 с.: ил.

  3. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. Проектирование, виды микросхем, функциональная микроэлектроника: Учеб. пособие для приборостроит. спец. вузов.- 2-е изд. перераб. и доп. - М.: Высш.шк., 1987. – 416 с.: ил.

  4. Гаман В.И. Физика полупроводниковых приборов. Учебное пособие. – Томск: Издательство Томского ун-та, 1989. – 336 с.

  5. Тугов Н.М.,Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов./ Под ред. В.А.Лабунцова. – М.: Энергоатомиздат, 1990. – 576 с.

  6. Тонкошкур О.С., Трістан О.М., С’янов О.М. Компонентна база РЕА. Навчальний посібник. – Дніпродзержинськ: ДДТУ, 2004. –240 с

  7. Тонкошкур О.С., Ігнаткін В.У Андрєєв О.О. Компонентна база РЕА. Практикум. Навчальний посібник. – Дніпродзержинськ: ДДТУ, 2007. –257 с.

Схожі:

Конструкції тиристорів. Структура, принцип роботи та основні характеристики польового транзистора з p-n –переходом. Структура, принцип роботи та основні характеристики польового транзистора з ізольованим затвором. Прилади зі зарядовим зв’язком iconПитання до модуля №1 з дисципліни
Лампа розжарювання. Будова, принцип дії, основні характеристики, структура позначень, переваги та недоліки
Конструкції тиристорів. Структура, принцип роботи та основні характеристики польового транзистора з p-n –переходом. Структура, принцип роботи та основні характеристики польового транзистора з ізольованим затвором. Прилади зі зарядовим зв’язком iconЧим конструктивно відрізняються ультрафіолетові лампи типу дрт та дб?
Лампа дри. Будова, принцип дії, основні характеристики, структура позначень, переваги та недоліки
Конструкції тиристорів. Структура, принцип роботи та основні характеристики польового транзистора з p-n –переходом. Структура, принцип роботи та основні характеристики польового транзистора з ізольованим затвором. Прилади зі зарядовим зв’язком iconТема Класифікація та основні характеристики принтерів. Відеосистема комп’ютера, призначення
...
Конструкції тиристорів. Структура, принцип роботи та основні характеристики польового транзистора з p-n –переходом. Структура, принцип роботи та основні характеристики польового транзистора з ізольованим затвором. Прилади зі зарядовим зв’язком iconР. Берест археологічне дослідження
Під час польового сезону 2003 року продовжено археологічне дослідження давнього Унівського монастиря. Основні археологічні роботи...
Конструкції тиристорів. Структура, принцип роботи та основні характеристики польового транзистора з p-n –переходом. Структура, принцип роботи та основні характеристики польового транзистора з ізольованим затвором. Прилади зі зарядовим зв’язком iconПлан історія створення організації Основні характеристики, функції,...
«холодної війни» було створено Нараду з безпеки та співробітництва в Європі (нбсє), покликану служити в якості постійно функціонуючого...
Конструкції тиристорів. Структура, принцип роботи та основні характеристики польового транзистора з p-n –переходом. Структура, принцип роботи та основні характеристики польового транзистора з ізольованим затвором. Прилади зі зарядовим зв’язком iconПлан-конспект тема : Основні поняття видавничих систем
Шрифт—типографський спосіб кодування текстової інформації. Основні характеристики – гарнітура (малюнок), розмір, зображення
Конструкції тиристорів. Структура, принцип роботи та основні характеристики польового транзистора з p-n –переходом. Структура, принцип роботи та основні характеристики польового транзистора з ізольованим затвором. Прилади зі зарядовим зв’язком iconПринцип диференціації передбачає розподіл процесів виробництва на...
Принцип диференціації передбачає розподіл процесів виробництва на окремі частини (процеси, роботи, операції та ін.) та їх скоординоване...
Конструкції тиристорів. Структура, принцип роботи та основні характеристики польового транзистора з p-n –переходом. Структура, принцип роботи та основні характеристики польового транзистора з ізольованим затвором. Прилади зі зарядовим зв’язком iconВивчення конструкції І дослідження
Мета роботи: Зняти зовнішні характеристики одно- І двох-напівперіодних випрямлячів з різними типами фільтрів при їх роботі на активне...
Конструкції тиристорів. Структура, принцип роботи та основні характеристики польового транзистора з p-n –переходом. Структура, принцип роботи та основні характеристики польового транзистора з ізольованим затвором. Прилади зі зарядовим зв’язком iconУрок №22 20. 11. 08 Тема урока. Основні характеристики та можливості...
Тема урока. Основні характеристики та можливості субд. Сутність проектування баз даних
Конструкції тиристорів. Структура, принцип роботи та основні характеристики польового транзистора з p-n –переходом. Структура, принцип роботи та основні характеристики польового транзистора з ізольованим затвором. Прилади зі зарядовим зв’язком iconРеферат Звіт з переддипломної практики містить: 21 сторінку та 1 рисунок
У роботі описані основні принципи роботи джерела живлення персонального комп’ютера та його структура. Також розглянуто правила безпеки...
Додайте кнопку на своєму сайті:
Школьные материалы


База даних захищена авторським правом © 2014
звернутися до адміністрації
uchni.com.ua
Головна сторінка